Número da peça de fabricante | 1N3646 |
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Número da peça futura | FT-1N3646 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N3646 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 2500V |
Atual - Média Retificada (Io) | 600mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 5V @ 250mA |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2.5µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 2500V |
Capacitância @ Vr, F | 8pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3646 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N3646-FT |
MBR30100FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40150PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40200PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4040PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4045PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4050PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4060PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4080PTE3/TU
Microsemi Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel