Número da peça de fabricante | 1N3276 |
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Número da peça futura | FT-1N3276 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N3276 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 160A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 12mA @ 1600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3276 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N3276-FT |
MBR2060CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2060FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2080CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2080FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2090CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2090FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30100FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40150PTE3/TU
Microsemi Corporation
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel