Número da peça de fabricante | 1N1197 |
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Número da peça futura | FT-1N1197 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
1N1197 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | - |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Atual - Média Retificada (Io) | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1197 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N1197-FT |
S85BR
GeneSiC Semiconductor
S85D
GeneSiC Semiconductor
S85DR
GeneSiC Semiconductor
S85G
GeneSiC Semiconductor
S85GR
GeneSiC Semiconductor
S85K
GeneSiC Semiconductor
S85KR
GeneSiC Semiconductor
S85MR
GeneSiC Semiconductor
S85V
GeneSiC Semiconductor
S85Y
GeneSiC Semiconductor
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel