casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 183NQ100-1
Número da peça de fabricante | 183NQ100-1 |
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Número da peça futura | FT-183NQ100-1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
183NQ100-1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 180A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 180A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 4.5mA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 4150pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | HALF-PAK |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
183NQ100-1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 183NQ100-1-FT |
BYT01-400
STMicroelectronics
BYT01-400RL
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BYW100-200
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STTH2R02QRL
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XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel