casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 183NQ080
Número da peça de fabricante | 183NQ080 |
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Número da peça futura | FT-183NQ080 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
183NQ080 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Atual - Média Retificada (Io) | 180A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 180A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 4.5mA @ 80V |
Capacitância @ Vr, F | 4150pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | D-67 HALF-PAK |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | HALF-PAK |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
183NQ080 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 183NQ080-FT |
VS-1N1203A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1204RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1205A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3670A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3671A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3671RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3672A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3673RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3879
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3879R
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel