casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 1517-110M
Número da peça de fabricante | 1517-110M |
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Número da peça futura | FT-1517-110M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1517-110M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 70V |
Freqüência - Transição | 1.48GHz ~ 1.65GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | 7.3dB ~ 8.6dB |
Potência - Max | 350W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 9A |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | 55AW-1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 55AW-1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1517-110M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1517-110M-FT |
MRF428
M/A-Com Technology Solutions
MRF448
M/A-Com Technology Solutions
MRF454
M/A-Com Technology Solutions
MRF455
M/A-Com Technology Solutions
HFA3127RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127RZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R96
Renesas Electronics America Inc.
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
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Lattice Semiconductor Corporation
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EP4SGX110HF35I4N
Intel