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Número da peça de fabricante | 12RS684C |
---|---|
Número da peça futura | FT-12RS684C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 1200RS |
12RS684C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 680µH |
Tolerância | ±15% |
Classificação atual | 550mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 10kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.413" Dia (10.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.335" (8.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
12RS684C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 12RS684C-FT |
15472C
Murata Power Solutions Inc.
15682C
Murata Power Solutions Inc.
15102C
Murata Power Solutions Inc.
15103C
Murata Power Solutions Inc.
15104C
Murata Power Solutions Inc.
15105C
Murata Power Solutions Inc.
15152C
Murata Power Solutions Inc.
15153C
Murata Power Solutions Inc.
15154C
Murata Power Solutions Inc.
15222C
Murata Power Solutions Inc.
XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel