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Número da peça de fabricante | 12RS683C |
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Número da peça futura | FT-12RS683C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 1200RS |
12RS683C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 68µH |
Tolerância | ±15% |
Classificação atual | 1.8A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 10kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.413" Dia (10.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.335" (8.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
12RS683C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 12RS683C-FT |
15682C
Murata Power Solutions Inc.
15102C
Murata Power Solutions Inc.
15103C
Murata Power Solutions Inc.
15104C
Murata Power Solutions Inc.
15105C
Murata Power Solutions Inc.
15152C
Murata Power Solutions Inc.
15153C
Murata Power Solutions Inc.
15154C
Murata Power Solutions Inc.
15222C
Murata Power Solutions Inc.
15224C
Murata Power Solutions Inc.
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel