casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / 1285AS-H-1R5M=P2
Número da peça de fabricante | 1285AS-H-1R5M=P2 |
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Número da peça futura | FT-1285AS-H-1R5M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE201610C |
1285AS-H-1R5M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1.5µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.8A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 144 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1285AS-H-1R5M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1285AS-H-1R5M=P2-FT |
DFE201610R-H-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-R47M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-1R0M=P2
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DFE201610P-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-1R5M=P2
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XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
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XCVU080-3FFVD1517E
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M1AGL600V5-FG256
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U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation