casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / 1276AS-H-2R2M=P2
Número da peça de fabricante | 1276AS-H-2R2M=P2 |
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Número da peça futura | FT-1276AS-H-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE322510C |
1276AS-H-2R2M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.6A |
Atual - saturação | 2.2A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 118 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1276AS-H-2R2M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1276AS-H-2R2M=P2-FT |
LQG15WH4N7S02D
Murata Electronics North America
LQG15WH5N1C02D
Murata Electronics North America
LQG15WH5N1S02D
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LQG15WH5N6C02D
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LQG15WH5N6S02D
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LQG15WH6N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WH6N2S02D
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LQG15WH6N8H02D
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LQG15WH7N5H02D
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LQG15WH7N5J02D
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XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
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XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
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EP3C25F324C8
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EP20K100EFI324-2X
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