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Número da peça de fabricante | 11R683C |
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Número da peça futura | FT-11R683C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 1100R |
11R683C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 68µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 400mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.295" (7.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11R683C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 11R683C-FT |
1415514C
Murata Power Solutions Inc.
1422512C
Murata Power Solutions Inc.
1430433C
Murata Power Solutions Inc.
1447508C
Murata Power Solutions Inc.
1468507C
Murata Power Solutions Inc.
1415605C
Murata Power Solutions Inc.
1447509C
Murata Power Solutions Inc.
1415513C
Murata Power Solutions Inc.
1447506C
Murata Power Solutions Inc.
1433510C
Murata Power Solutions Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel