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Número da peça de fabricante | 11R682C |
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Número da peça futura | FT-11R682C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 1100R |
11R682C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.1A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.295" (7.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11R682C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 11R682C-FT |
1422512C
Murata Power Solutions Inc.
1430433C
Murata Power Solutions Inc.
1447508C
Murata Power Solutions Inc.
1468507C
Murata Power Solutions Inc.
1415605C
Murata Power Solutions Inc.
1447509C
Murata Power Solutions Inc.
1415513C
Murata Power Solutions Inc.
1447506C
Murata Power Solutions Inc.
1433510C
Murata Power Solutions Inc.
1410606C
Murata Power Solutions Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel