casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 11LC080T-E/MNY
Número da peça de fabricante | 11LC080T-E/MNY |
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Número da peça futura | FT-11LC080T-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
11LC080T-E/MNY Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 8Kb (1K x 8) |
Freqüência do relógio | 100kHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Single Wire |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11LC080T-E/MNY Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 11LC080T-E/MNY-FT |
M95512-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
W25Q16FWZPIQ
Winbond Electronics
W25X40CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q80EWZPIG
Winbond Electronics
W25Q128JVEIQ
Winbond Electronics
W25Q128FWEIG
Winbond Electronics
W25Q80JVZPIQ
Winbond Electronics
W25Q128JVPIM
Winbond Electronics
M95320-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
LE25U20AQGTXG
ON Semiconductor
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel