casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 11AA160T-I/MNY
Número da peça de fabricante | 11AA160T-I/MNY |
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Número da peça futura | FT-11AA160T-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
11AA160T-I/MNY Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | 100kHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Single Wire |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11AA160T-I/MNY Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 11AA160T-I/MNY-FT |
M24256-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24512-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24C08-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24C16-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24C64-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95020-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95040-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95512-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
W25Q16FWZPIQ
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W25X40CLZPIG
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XC7A50T-3FGG484E
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M1AGL1000V5-FGG484
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A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
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XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel