casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 11AA080T-I/MNY
Número da peça de fabricante | 11AA080T-I/MNY |
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Número da peça futura | FT-11AA080T-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
11AA080T-I/MNY Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 8Kb (1K x 8) |
Freqüência do relógio | 100kHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Single Wire |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11AA080T-I/MNY Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 11AA080T-I/MNY-FT |
25LC320AT-E/MNY
Microchip Technology
M24256-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24512-DRMF3TG/K
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M24C08-DRMF3TG/K
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M24C16-DRMF3TG/K
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M95020-DRMF3TG/K
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M95512-DRMF3TG/K
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W25Q16FWZPIQ
Winbond Electronics
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
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5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel