casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 11AA080-I/P
Número da peça de fabricante | 11AA080-I/P |
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Número da peça futura | FT-11AA080-I/P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
11AA080-I/P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 8Kb (1K x 8) |
Freqüência do relógio | 100kHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Single Wire |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-PDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11AA080-I/P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 11AA080-I/P-FT |
W25P20VSNIG T&R
Winbond Electronics
W25P40VSNIG
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W25Q16DVSNIG TR
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W25Q16DWSNIG
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XCKU035-1FBVA676I
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XC3S100E-4VQ100C
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M2GL090TS-1FCSG325I
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A3PE3000-2FGG484I
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A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
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EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
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LFE2-20E-5F484C
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EP20K100EFC324-1
Intel