casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / 1130-1R5M
Número da peça de fabricante | 1130-1R5M |
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Número da peça futura | FT-1130-1R5M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 1130 |
1130-1R5M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 1.5µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 21A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-1R5M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1130-1R5M-FT |
1140-122K
Bourns Inc.
1140-123K
Bourns Inc.
1140-150K
Bourns Inc.
1140-151K
Bourns Inc.
1140-152K
Bourns Inc.
1140-153K
Bourns Inc.
1140-180K
Bourns Inc.
1140-181K
Bourns Inc.
1140-181K-RC
Bourns Inc.
1140-182K
Bourns Inc.
EPF6024ATC144-2N
Intel
XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C3N
Intel
5SEE9H40C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C2N
Intel
AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35C2LN
Intel