casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / 1110-6R8M
Número da peça de fabricante | 1110-6R8M |
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Número da peça futura | FT-1110-6R8M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 1110 |
1110-6R8M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 9A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.660" Dia (16.76mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-6R8M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1110-6R8M-FT |
1120-3R9M-RC
Bourns Inc.
1120-561K-RC
Bourns Inc.
1120-681K-RC
Bourns Inc.
1120-6R8M-RC
Bourns Inc.
1120-100K
Bourns Inc.
1120-120K
Bourns Inc.
1120-121K
Bourns Inc.
1120-122K
Bourns Inc.
1120-150K
Bourns Inc.
1120-180K
Bourns Inc.
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel