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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R,LF
- Número da peça MFG
- SSM6N815R,LF
- Quantidade disponível
- 36440 Peças
- Preço de referência
- USD 0.12028
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- U-MOSVIII-H MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- SSM6N815R,LF.pdf
SSM6N815R,LF Especificações
| Número da peça de fabricante | SSM6N815R,LF |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SSM6N815R,LF |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | U-MOSVIII-H |
| SSM6N815R,LF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Recurso FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
| Potência - Max | 1.8W (Ta) |
| Temperatura de operação | 150°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 6-SMD, Flat Leads |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP-F |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM6N815R,LF Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SSM6N815R,LF-FT |
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