casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F8G08ABACAH4-S:C
Número da peça de fabricante | MT29F8G08ABACAH4-S:C |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT29F8G08ABACAH4-S:C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F8G08ABACAH4-S:C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 8Gb (1G x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F8G08ABACAH4-S:C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F8G08ABACAH4-S:C-FT |
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001
Micron Technology Inc.
MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel